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MC33152DR2G
MC33152DR2G
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- 描述
- MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC33152DR2G
- 商品编号
- C12160
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 6.1V~18V | |
| 上升时间(tr) | 36ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 36ns | |
| 传播延迟 tpLH | 55ns | |
| 传播延迟 tpHL | 40ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.75V~2.6V | |
| 静态电流(Iq) | 6mA |
商品概述
MC34152是一款双路同相高速驱动器，专门设计用于将低电流数字电路与功率MOSFET连接。该器件采用肖特基钳位双极模拟技术制造，在恶劣的工业环境中具有高性能和高耐用性。
商品特性
- 两个独立通道，具有1.5 A图腾柱输出
- 带1000 pF负载时，输出上升和下降时间为15 ns
- 具有迟滞特性的CMOS/LSTTL兼容输入
- 带迟滞特性的欠压锁定
- 低待机电流
- 高效高频运行
- 与通用开关稳压器控制IC配合使用可提升系统性能
- 带有NCV前缀，适用于汽车及其他需要场地和变更控制的应用
- 这些器件为无铅和无卤器件
应用领域
- 开关电源
- 直流-直流转换器
- 电容电荷泵倍压器/反相器
- 电机控制器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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