温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IX4351NE

9A 低端碳化硅（SiC）MOSFET 及 IGBT 驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: IX4351NE专为驱动碳化硅（SiC）MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A源极和灌电流输出可实现定制化的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器可提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度并加快关断速度
品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IX4351NE
商品编号: C1161711
商品封装: ESOP-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	10ns
	传播延迟 tpLH	75ns
	传播延迟 tpHL	65ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.2V
	输入低电平(VIL)	1V
	静态电流(Iq)	2.9mA

商品概述

IX4351NE专为驱动碳化硅（SiC）MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A源极和灌电流输出可实现定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器可提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度并实现更快的关断。去饱和检测电路可检测SiC MOSFET的过流情况，并启动软关断，从而防止可能造成损坏的dV/dt事件。逻辑输入IN与TTL和CMOS兼容；即使采用负栅极驱动偏置电压，该输入也无需进行电平转换。保护功能包括欠压锁定（UVLO）和热关断检测。漏极开路FAULT输出可向微控制器发出故障信号。 IX4351NE的额定工作温度范围为-40℃至+125℃，采用热增强型16引脚功率SOIC封装。

商品特性

独立的9A峰值源极和灌电流输出
工作电压范围：-10V至+25V
内部电荷泵调节器，可提供可选的负栅极驱动偏置
带软关断灌电流驱动器的去饱和检测
与TTL和CMOS兼容的输入
欠压锁定（UVLO）
热关断
漏极开路FAULT输出

应用领域

驱动SiC MOSFET和IGBT
车载充电器和直流充电站
工业逆变器
功率因数校正（PFC）、AC/DC和DC/DC转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	9A
	拉电流(IOH)	9A
	工作电压	13V~25V
	上升时间(tr)	10ns