PN8386FSEC-R1N
电源驱动芯片
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- 描述
- PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗小于50mW(230VAC)。
- 品牌名称
- chipown(芯朋微电子)
- 商品型号
- PN8386FSEC-R1N
- 商品编号
- C1121908
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | 隔离 | |
| 工作电压 | 10V~30V | |
| 晶体管耐压 | 700V | |
| 拓扑结构 | 反激式 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作模式 | PFM 调制;PWM 调制 | |
| 反馈方式 | 原边反馈 |
商品概述
PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗小于50mW(230VAC)。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
商品特性
- 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
- 内置高压启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC)
- 采用多模式技术提高效率,满足6级能效标准
- 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
- 原边反馈可省光耦和TL431
- 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
- 无需额外补偿电容
- 无音频噪声
- 智能保护功能:
- 过温保护 (OTP)
- VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
- 逐周期过流保护 (OCP)
- CS开/短路保护 (CS O/SP)
- 开环保护 (OLP)
应用领域
- 开关电源适配器
- 电池充电器
- 机顶盒电源
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
