我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
PN8386FSEC-R1N实物图
  • PN8386FSEC-R1N商品缩略图
  • PN8386FSEC-R1N商品缩略图
  • PN8386FSEC-R1N商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PN8386FSEC-R1N

电源驱动芯片

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗小于50mW(230VAC)。
商品型号
PN8386FSEC-R1N
商品编号
C1121908
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.196克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录AC-DC控制器和稳压器
是否隔离隔离
工作电压10V~30V
晶体管耐压700V
拓扑结构反激式
属性参数值
特性过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+150℃
工作模式PFM 调制;PWM 调制
反馈方式原边反馈

商品概述

PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗小于50mW(230VAC)。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

商品特性

  • 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
  • 内置高压启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC)
  • 采用多模式技术提高效率,满足6级能效标准
  • 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
  • 原边反馈可省光耦和TL431
  • 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
  • 无需额外补偿电容
  • 无音频噪声
  • 智能保护功能:
    • 过温保护 (OTP)
    • VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
    • 逐周期过流保护 (OCP)
    • CS开/短路保护 (CS O/SP)
    • 开环保护 (OLP)

应用领域

  • 开关电源适配器
  • 电池充电器
  • 机顶盒电源

数据手册PDF

优惠活动

  • 7

    购买数量

    (4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个4000个/圆盘

    总价金额:

    0.00

    近期成交2