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RJH60F7DPQ-A0#T0
600V 50A
- 描述
- 特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。 单封装内置快速恢复二极管。 沟槽栅和薄晶圆技术。 高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A，VCE = 400V，VGE = 15V，Rg = 5Ω，Ta = 25℃，感性负载）
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJH60F7DPQ-A0#T0
- 商品编号
- C118764
- 商品封装
- TO-247A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 328.9W | |
| 输出电容(Coes) | 198pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@50A,15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.7nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 63ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 142ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 83pF |