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4N35SR2M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

4N35SR2M

DC输入 隔离电压(rms):4170V

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描述
该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
4N35SR2M
商品编号
C115039
商品封装
SOP-6-2.54mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.633克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.18V
输出电流2mA
隔离电压(Vrms)4.17kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压30V
输出通道数1
属性参数值
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@0.5mA,10mA
上升时间(tr)2us
下降时间2us
工作温度-40℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值100%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值100%
总功耗(Pd)270mW
正向电流(If)60mA

商品概述

一般用途光耦合器由砷化镓红外发光二极管驱动硅光电晶体管组成,采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

商品特性

  • 最小电流传输比:在 lF = 10 mA,VCE = 10 V 时,4N27M 和 4N28M 为 10%;4N25M 和 4N26M 为 20%;4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%
  • 安全和法规认证:UL1577,4170 VACRMS 持续 1 分钟;DIN - EN/IEC60747 - 5 - 5,850 V 峰值工作绝缘电压

应用领域

  • 电源稳压器
  • 数字逻辑输入
  • 微处理器输入

数据手册PDF