F159VNLGN
F159VNLGN
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F159VNLGN
- 商品编号
- C1019061
- 商品封装
- VFQFPN-68(10x10)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
F159V是一款双路径射频发射集成电路（IC），工作频率范围为450MHz至2800MHz。该器件提供两条独立的发射路径，每条路径典型最大增益为18.3dB，对应输出噪声基底为 -142.5dBm/Hz，OIP3为 +31dBm，输出P1dB为 +14dBm。它设计为采用单一 +3.3V电源供电，仅消耗685mA直流电流。 每条信号路径包括一个正交调制器、电压可变衰减器（VVA）、数字步进衰减器（DSA）和一个固定增益放大器。该器件使用SPI控制的11位DAC，支持总共32dB的VVA调节范围，每个DSA使用SPI控制，以1dB为步进，具有31dB的增益控制范围。 片上频率合成器由两条路径共享，针对多载波、多模式FDD和TDD基站发射机进行了优化，可实现GSM级性能。该合成器提供整数模式和分数模式。它需要一个外部环路滤波器和一个频率范围在10MHz至250MHz的外部参考振荡器。 F159V采用10mm x 10mm、68引脚QFN封装，具有来自外部I/Q DAC的110Ω差分驱动和单端50Ω射频输出阻抗，便于集成到两条发射路径的信号路径阵容中。每条路径具有独立的电源控制，从而实现最佳电源效率。
商品特性
- 独立双路径操作
- 射频输出频率：450MHz至2800MHz
- 典型最大增益18.3dB（无衰减）
- OIP3为 +31dBm（无衰减）
- 输出P1dB为 +14dBm（无衰减）
- 13dB噪声系数对应 -142.5dBm/Hz输出噪声基底（无衰减）
- 输出噪声基底 -152.3dBm/Hz（VVA = 14dB，DSA = 1dB）
- 通道隔离度：47dB
- DSA总增益范围为31dB，以1dB为步进
- 多个VVA，增益范围为32dB，由片上SPI控制的11位DAC控制
- 可变增益放大器（VGA）由DSA、VVA和固定增益放大器组成
- 高端本振注入时，I领先Q 90度
- 支持零中频（ZIF）或低中频（CIF）架构
- 共模电压范围：+0.1V至 +0.8V
- 整数N和分数N合成器
- 由I/Q DAC直接提供110Ω差分驱动
- 单端50Ω射频输出阻抗
- 内部或外部本振选择
- +3.3V电源电压，电流685mA（本振输出未开启）
- 规定的管壳温度：-20℃至 +115℃
- 10mm x 10mm、68引脚QFN封装
应用领域
- 多模式、多载波发射机
- PCS1900基站
- DCS1800基站
- WiMAX和LTE基站
- UMTS/WCDMA 3G基站
- PHS/PAS基站
- 分布式天线系统
- 数字无线电