F6503AVGK

F6503是一款8通道发射机（TX）硅集成电路，采用SiGe BiCMOS工艺设计，适用于CDL相控阵应用。核心IC在每个通道上具备360° 6位相位控制和35dB 6位增益控制，以实现精细的波束控制和辐射通道间的增益补偿。该器件标称增益为25dB，OP1dB为13dBm。在工作频率范围内，核心芯片的均方根相位误差为3°，均方根增益误差为0.4dB。在OP1dB时，典型总功耗为1.4W（每通道175mW）。

• 工作频率：14GHz至16GHz
• 8个辐射通道
• 6位相位控制
• 6位增益控制
• 典型增益建立时间：50ns
• 典型相位建立时间：20ns
• 典型均方根相位误差：3°
• 典型均方根增益误差：0.4dB
• 增益衰减范围：35dB
• 5位IC地址
• 集成带外部偏置的绝对温度比例（PTAT）传感器
• 内部温度传感器范围：-40℃至+95℃
• 可编程4状态片上存储器
• 电源电压：+2.1V至+2.5V
• 环境工作温度范围：-40℃至+95℃
• 典型环境工作温度：27℃
• 3.8mm x 4.6mm，62-BGA封装

• CDL终端
• 波束控制
• 点对点（视距）通信