AS4C256M16D3LC-12BCN
4Gb DDR3L同步DRAM
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 4Gb 低电压版第三代双倍数据速率(DDR3L)动态随机存取存储器(DRAM)采用双倍数据速率架构,可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件
- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C256M16D3LC-12BCN
- 商品编号
- C1012881
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR3L | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | SDRAM - DDR3L |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 800MHz |
| 存储容量 | 4Gb(256M x 16) |
| 访问时间 | 20ns |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA(7.5x13.5) |
| 写周期时间-字,页 | 15ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.283V ~ 1.45V |
优惠活动
购买数量
(209个/托盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个209个/托盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
