MT40A256M16LY-062E:F
4Gb:X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
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- 描述
- 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV,片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O,TC 最高可达 95°C。 64ms,8192 周期刷新,最高可达 85°C。 32ms,8192 周期刷新,温度范围为 >85°C 至 95°C。 16 个内部存储体 (x4, x8):每组 4 个存储体,共 4 组
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A256M16LY-062E:F
- 商品编号
- C1012896
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR4 | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V;2.375V~2.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 54mA | |
| 刷新电流 | 8.6mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
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