2个N沟道 耐压:20V 电流:9.4A
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
功率(Pd) | 2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@4.5V,9.4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.4A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 9.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1821pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO