TDM3478
1个N沟道 耐压:30V 电流:54A
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- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 15.2 导通电阻(mΩ) 6 输入电容(Ciss) 750 反向传输电容Crss(pF) 37 栅极电荷(Qg) 12
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3478
- 商品编号
- C105508
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品概述
TDM3478采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 9.7mΩ
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 6mΩ
- 高功率和电流处理能力
- ESD保护
- 表面贴装封装
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 供电系统