TDM3478
1个N沟道 耐压:30V 电流:54A
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- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 15.2 导通电阻(mΩ) 6 输入电容(Ciss) 750 反向传输电容Crss(pF) 37 栅极电荷(Qg) 12
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3478
- 商品编号
- C105508
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@4.5V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 26.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
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购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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