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ET8818
2个N沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- 特性：超高密度单元设计，实现极低的导通电阻。出色的导通电阻和最大直流电流能力。ESD 等级：2000V HBM。无铅和无卤
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET8818
- 商品编号
- C967057
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 690mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.265nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、25A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 18mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/核心电压
- 负载开关
- 手持仪器