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ET4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。表面贴装封装
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET4435
- 商品编号
- C967051
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 表面贴装封装