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ET8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。表面贴装封装。无铅和无卤
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET8205A
- 商品编号
- C967047
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 559pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计-雪崩电压和电流的完整特性表征-改善的直通品质因数