LM5110-2M/NOPB
双5A复合栅极驱动器,具备负输出电压能力
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- 描述
- LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5110-2M/NOPB
- 商品编号
- C962998
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 3.5V~14V | |
| 上升时间(tr) | 14ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 25ns | |
| 传播延迟 tpHL | 25ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV |
商品概述
LM5110双栅极驱动器以更高的峰值输出电流和效率取代了行业标准的栅极驱动器。每个“复合”输出驱动器级包含并联工作的MOS和双极晶体管,共同从容性负载吸收超过5A的峰值电流。结合MOS和双极器件的独特特性,可减少驱动电流随电压和温度的变化。独立的输入和输出接地引脚提供负驱动能力,允许用户使用正、负VGS电压驱动MOSFET栅极。栅极驱动器控制输入参考专用输入地(IN_REF)。栅极驱动器输出从VCC摆幅至输出地VEE,VEE相对于IN_REF可以为负。还提供欠压锁定保护和关断输入引脚。驱动器可以通过连接输入和输出并联工作,使驱动电流能力加倍。该器件提供SOIC - 8和热增强型WSON - 10封装。
商品特性
- 独立驱动两个N沟道MOSFET
- 复合CMOS和双极输出可减少输出电流变化
- 5A灌电流/3A拉电流能力
- 两个通道可并联连接,使驱动电流加倍
- 独立输入(与TTL兼容)
- 快速传播时间(典型值25ns)
- 快速上升和下降时间(2nF负载时,上升/下降时间为14ns/12ns)
- 专用输入接地引脚(IN_REF),适用于分离电源或单电源操作
- 输出从VCC摆幅至VEE,VEE相对于输入地可以为负
- 提供双同相、双反相和组合配置
- 关断输入提供低功耗模式
- 电源轨欠压锁定保护
- 引脚输出与行业标准栅极驱动器兼容
- 封装:SOIC - 8、WSON - 10(4mm×4mm)
应用领域
- 同步整流器栅极驱动器
- 开关模式电源栅极驱动器
- 螺线管和电机驱动器
优惠活动
购买数量
(95个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个95个/管
总价金额:
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