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MMBT6427-7-F
NPN 40V 500mA
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构，适用于低功率放大和开关。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBT6427-7-F
- 商品编号
- C99273
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 直流电流增益(hFE) | 20000 | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 特征频率(fT) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@50mA,0.5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 1.75V |