1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
- 1+: ¥8.13 / 个
- 10+: ¥7.04 / 个
- 50+: ¥5.98 / 个 (折合1管299元)
- 100+: ¥5.3 / 个 (折合1管265元)
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¥7.04 / 个 |
50+: |
¥5.98 / 个 (折合1管299元) |
100+: |
¥5.3 / 个 (折合1管265元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
功率(Pd) | 110W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,30A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V | |
工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB