• IPD50R1K4CEBTMA1-HXY商品缩略图
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型号:IPD50R1K4CEBTMA1-HXY品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)名称:N沟道增强型MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于电池保护和其他开关应用
IPD50R1K4CEBTMA1-HXY实物图
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IPD50R1K4CEBTMA1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IPD50R1K4CEBTMA1-HXY参考售价为1.52元起,现货库存数量99个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准