型号/品牌/参数/关键字
CRST030N10N
- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品名称
- SkyMOS1 N沟道MOSFET，100V、2.5mΩ、180A
- 商品编号
- C841369
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.835克(g)
- 库存
- 3265（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
2.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
227W
阈值电压(Vgs(th))
3V@250uA
栅极电荷量(Qg)
169nC@10V
输入电容(Ciss)
11.355nF
反向传输电容(Crss)
-
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
1.446nF
场效应管(MOSFET) CRST030N10N由CRMICRO(华润微)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥2.96，封装为TO-220。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。