型号/品牌/参数/关键字
SIUD412ED-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品名称
- N沟道，12 V（D-S）MOSFET
- 商品编号
- C727274
- 商品封装
- PowerPAK0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
- 库存
- 115（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
查看优惠券
运9元运费券
商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
500mA
导通电阻(RDS(on))
340mΩ@4.5V,0.5A
耗散功率(Pd)
370mW
阈值电压(Vgs(th))
350mV
栅极电荷量(Qg)
470pC@4.5V
输入电容(Ciss)
21pF@6V
反向传输电容(Crss)
1pF@6V
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
13pF
场效应管(MOSFET) SIUD412ED-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.1414，封装为PowerPAK0806-3。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。