型号/品牌/参数/关键字
NDS7002A
- 描述
- 此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:60V
- 商品编号
- C74715
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
- 库存
- 12520（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
280mA
导通电阻(RDS(on))
1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)
300mW
阈值电压(Vgs(th))
2.5V
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
50pF@25V
反向传输电容(Crss)
4pF
工作温度
-65℃~+150℃@(Tj)
类型
N沟道
输出电容(Coss)
11pF
场效应管(MOSFET) NDS7002A由onsemi(安森美)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.202，封装为SOT-23-3L。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。