型号/品牌/参数/关键字
2N7002W
- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 ESD保护高达1kV（HBM）
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:60V
- 商品编号
- C5334591
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
- 库存
- 3000（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
115mA
导通电阻(RDS(on))
4.4Ω@10V,0.5A
耗散功率(Pd)
200mW
阈值电压(Vgs(th))
1V
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
50pF
反向传输电容(Crss)
5pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
11pF
场效应管(MOSFET) 2N7002W由SHIKUES(时科)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.0538，封装为SOT-323。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。