型号/品牌/参数/关键字
AONR21357
- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，提供卓越的能效比与紧凑布局解决方案，满足现代电子设备的高性能需求。
- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 商品名称
- 1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
- 商品编号
- C5261065
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
- 库存
- 537（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
13mΩ@10V
耗散功率(Pd)
37W
阈值电压(Vgs(th))
2.5V
栅极电荷量(Qg)
12.5nC
输入电容(Ciss)
2.215nF
反向传输电容(Crss)
158pF
工作温度
-55℃~+150℃
输出电容(Coss)
194pF
场效应管(MOSFET) AONR21357由HXY MOSFET(华轩阳电子)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.7208，封装为DFN3X3-8L。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。