型号/品牌/参数/关键字
AOD403-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品名称
- 1个P沟道 耐压:30V 电流:58A
- 商品编号
- C557964
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
- 库存
- 177（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
58A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V；11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
87W
阈值电压(Vgs(th))
1V
栅极电荷量(Qg)
240nC@15V
输入电容(Ciss)
4nF@15V
反向传输电容(Crss)
715pF@25V
工作温度
-55℃~+175℃
类型
P沟道
场效应管(MOSFET) AOD403-VB由VBsemi(微碧半导体)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.88，封装为TO-252。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。