型号/品牌/参数/关键字
INN650DA04
- 描述
- 特性：增强模式晶体管。 常关功率开关。 超高开关频率。 无反向恢复电荷。 低栅极电荷，低输出电荷。 符合JEDEC标准的工业应用要求。应用：AC-DC转换器。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Innoscience(英诺赛科)
- 商品名称
- 氮化镓MOS管
- 商品编号
- C5121646
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
- 库存
- 2360（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
类型
1个N沟道
技术路线
-
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
耗散功率(Pd)
39W
阈值电压(Vgs(th))
1.6V
栅极电荷量(Qg)
0.9nC
输入电容(Ciss)
34pF
反向传输电容(Crss)
0.4pF
工作温度
-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))
365mΩ@6V
氮化镓晶体管(GaN HEMT) INN650DA04由Innoscience(英诺赛科)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥2，封装为DFN-8(5x6)。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。