型号/品牌/参数/关键字
SI7611DN-T1-GE3
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。 100% Rg和UIS测试。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品名称
- 1个P沟道 耐压:40V 电流:18A
- 商品编号
- C506599
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
- 库存
- 30000（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
9.3A
导通电阻(RDS(on))
25mΩ@10V,9.3A
耗散功率(Pd)
3.7W
阈值电压(Vgs(th))
-
栅极电荷量(Qg)
41nC@10V
输入电容(Ciss)
1.98nF@20V
反向传输电容(Crss)
175pF@20V
工作温度
-50℃~+150℃
场效应管(MOSFET) SI7611DN-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥5.6817，封装为PowerPAK1212-8。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。