型号/品牌/参数/关键字
SUM110P06-07L-E3
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，低热阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品名称
- 1个P沟道 耐压:60V 电流:110A
- 商品编号
- C500636
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.09克(g)
- 库存
- 1203（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
110A
导通电阻(RDS(on))
6.9mΩ@10V,110A
耗散功率(Pd)
3.75W
阈值电压(Vgs(th))
3V
栅极电荷量(Qg)
345nC@10V
输入电容(Ciss)
11.4nF@25V
反向传输电容(Crss)
900pF@25V
工作温度
-55℃~+175℃
类型
P沟道
输出电容(Coss)
1.2nF
场效应管(MOSFET) SUM110P06-07L-E3由VISHAY(威世)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥10.04，封装为TO-263(D2PAK)。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。