型号/品牌/参数/关键字
SKD502T
- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
- 商品编号
- C467184
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
- 库存
- 5100（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
4.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)
174W
阈值电压(Vgs(th))
4V
栅极电荷量(Qg)
55nC@10V
输入电容(Ciss)
3.086nF
反向传输电容(Crss)
26pF
工作温度
-55℃~+150℃
场效应管(MOSFET) SKD502T由CRMICRO(华润微)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.0837，封装为TO-220。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。