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2N7002K

描述
防静电,应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
品牌名称
MDD(辰达半导体)
商品名称
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
商品编号
C414015
商品封装
SOT-23
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)
库存
888450(广东仓0 | 江苏仓0)
2N7002K实物图

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商品参数

属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on))
1.9Ω@10V
耗散功率(Pd)
300mW
阈值电压(Vgs(th))
1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
21pF
反向传输电容(Crss)
4pF
工作温度
-40℃~+150℃
配置
-
输出电容(Coss)
9pF

场效应管(MOSFET) 2N7002K由MDD(辰达半导体)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格¥0.0385,封装为SOT-23。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。