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H5TC4G63EFR-RDAR

描述
H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM,非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行(电压为1.35V)的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下,与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作,参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿(时钟的下降沿)上锁存,数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理,并预取8位以实现非常高的带宽。
品牌名称
HYNIX(海力士)
商品名称
4Gb低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM
商品编号
C37953994
商品封装
FBGA-96
包装方式
编带
商品毛重
0.3444克(g)
库存
200(广东仓0 | 江苏仓0)
H5TC4G63EFR-RDAR实物图
21.19
距结束还剩
0000:00:00

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商品参数

属性
参数值
存储器构架(格式)
SDRAM DDR3L
时钟频率(fc)
-
存储容量
4Gbit
工作电压
1.283V~1.45V
工作电流
38mA
刷新电流
12mA
工作温度
0℃~+95℃

DDR SDRAM H5TC4G63EFR-RDAR由HYNIX(海力士)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格¥23.7,封装为FBGA-96。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。