型号/品牌/参数/关键字
FDN340P
- 描述
- P-Channel Logic Level MOSFET采用先进的Power Trench工艺，可最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子应用，包括负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品名称
- 1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
- 商品编号
- C3277832
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
- 库存
- 565（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
110mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)
500mW
阈值电压(Vgs(th))
1.5V
栅极电荷量(Qg)
7.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)
779pF
反向传输电容(Crss)
56pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
P沟道
输出电容(Coss)
121pF
场效应管(MOSFET) FDN340P由onsemi(安森美)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.1217，封装为SOT-23。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。