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HXY50P02DF
- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有高效能与紧凑设计。额定电压20V，连续电流高达50A，适用于电源转换、负载控制和电池管理系统，为现代电子设备提供卓越的功率处理能力及空间优化方案。
- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 商品名称
- P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-20V
- 商品编号
- C3033460
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
- 库存
- 20（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
22W
阈值电压(Vgs(th))
1V@250uA
栅极电荷量(Qg)
35nC@4.5V
输入电容(Ciss)
1.4nF@15V
反向传输电容(Crss)
300pF@15V
工作温度
-55℃~+150℃
场效应管(MOSFET) HXY50P02DF由HXY MOSFET(华轩阳电子)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.0026，封装为DFN-8L(3x3)。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。