型号/品牌/参数/关键字
AOSS21319C
- 描述
- 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准。具备ESD保护功能
- 品牌名称
- AOS
- 商品名称
- 1个P沟道 耐压:30V 电流:2.8A
- 商品编号
- C2987157
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
- 库存
- 1082（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
2.8A
导通电阻(RDS(on))
100mΩ@10V
耗散功率(Pd)
1.3W
阈值电压(Vgs(th))
2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)
12nC@10V
输入电容(Ciss)
320pF
反向传输电容(Crss)
35pF
工作温度
-55℃~+150℃
输出电容(Coss)
40pF
场效应管(MOSFET) AOSS21319C由AOS设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.46，封装为SOT-23。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。