型号/品牌/参数/关键字
ASDM40DN20E-R
- 描述
- Trench Power LV MOSFET 技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(Ω)
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品名称
- 耐压:40V 电流:20A
- 商品编号
- C2972863
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
- 库存
- 4675（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
19mΩ@10V
耗散功率(Pd)
21W
阈值电压(Vgs(th))
2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)
23.6nC@10V
输入电容(Ciss)
800pF
反向传输电容(Crss)
16pF@20V
工作温度
-55℃~+150℃
输出电容(Coss)
112pF
场效应管(MOSFET) ASDM40DN20E-R由ASDsemi(安森德)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.3822，封装为PDFN3.3x3.3-8。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。