型号/品牌/参数/关键字
AO3400A
- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 商品编号
- C347475
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
- 库存
- 1615300（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.8A
导通电阻(RDS(on))
17mΩ@10V
耗散功率(Pd)
1.4W
阈值电压(Vgs(th))
1.1V@250uA
栅极电荷量(Qg)
9.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)
823pF
反向传输电容(Crss)
77pF
工作温度
-55℃~+150℃
输出电容(Coss)
99pF
场效应管(MOSFET) AO3400A由UMW(友台半导体)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.0928，封装为SOT-23。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。