型号/品牌/参数/关键字
FQA11N90C-F109
- 描述
- N沟道,900V,11A,1.1Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:900V 电流:11A
- 商品编号
- C2712
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
- 库存
- 0（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V
耗散功率(Pd)
-
阈值电压(Vgs(th))
5V@250uA
栅极电荷量(Qg)
80nC@720V
输入电容(Ciss)
3.29nF
反向传输电容(Crss)
30pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
280pF
场效应管(MOSFET) FQA11N90C-F109由onsemi(安森美)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥28.75，封装为TO-3P。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。