型号/品牌/参数/关键字
CM10N65F
- 描述
- 连接漏极电流(Id)(25℃时):10A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器
- 品牌名称
- JD(晶导)
- 商品名称
- 650V N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:650V
- 商品编号
- C2839008
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.27克(g)
- 库存
- 0（广东仓0 | 江苏仓0）
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商品参数
属性
参数值
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
700mΩ@10V
耗散功率(Pd)
55W
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
输入电容(Ciss)
1.993nF
反向传输电容(Crss)
130pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
160pF
场效应管(MOSFET) CM10N65F由JD(晶导)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.86，封装为TO-220F。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。