型号/品牌/参数/关键字
FDG6301N
- 描述
- 此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品名称
- 2个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
- 商品编号
- C236893
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
- 库存
- 4565（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
25V
连续漏极电流(Id)
220mA
导通电阻(RDS(on))
4Ω@4.5V
耗散功率(Pd)
300mW
阈值电压(Vgs(th))
1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)
400pC@4.5V
输入电容(Ciss)
9.5pF@10V
反向传输电容(Crss)
-
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
场效应管(MOSFET) FDG6301N由onsemi(安森美)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.4612，封装为SC-70-6。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。