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SI7234DP-T1-GE3

描述
双N沟道,12V,60A,0.0034Ω@4.5V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品名称
2个N沟道 耐压:12V 电流:60A
商品编号
C222421
商品封装
PowerPAKSO-8
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)
库存
69(广东仓0 | 江苏仓0)
SI7234DP-T1-GE3实物图

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商品参数

属性
参数值
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
5mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)
46W
阈值电压(Vgs(th))
1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)
120nC@10V
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道

场效应管(MOSFET) SI7234DP-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格¥9.67,封装为PowerPAKSO-8。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。