型号/品牌/参数/关键字
CMD80N06
- 描述
- 80N06采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 商品编号
- C19724739
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
- 库存
- 10（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
8.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
150W
阈值电压(Vgs(th))
4V
栅极电荷量(Qg)
70nC@10V
输入电容(Ciss)
3.6nF
反向传输电容(Crss)
300pF
工作温度
-55℃~+175℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
350pF
CMD80N06场效应管(MOSFET)，Cmos(广东场效应半导体)原厂出品，封装TO-252，价格￥0.8016元。提供高清引脚图、PCB焊盘图、3D模型及Datasheet数据手册，支持选型与设计参考，正品现货，一站式元器件采购尽在立创商城。