型号/品牌/参数/关键字
SI4559ADY-HXY
- 描述
- 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，适用于60V电压环境，额定电流6A。双通道设计支持正负电压控制，广泛应用于电池管理、电源转换器等场景，具备低导通电阻和高效开关性能，是现代电子设备理想的双向功率开关组件。
- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 商品名称
- 1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6A
- 商品编号
- C18198387
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215605克(g)
- 库存
- 535（广东仓0 | 江苏仓535）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
100mΩ@10V
耗散功率(Pd)
2.5W
阈值电压(Vgs(th))
2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
-
反向传输电容(Crss)
-
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道+P沟道
输出电容(Coss)
-
SI4559ADY-HXY由HXY MOSFET(华轩阳电子)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.8959，封装为SOP-8。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。