型号/品牌/参数/关键字
SI4599DY-T1-GE3
- 描述
- 特性：无卤。TrenchFET功率MOSFET。100% Rg测试。100% UIS测试。应用：液晶显示器背光源逆变器。全桥转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品名称
- 1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
- 商品编号
- C141629
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
- 库存
- 1507（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
-
导通电阻(RDS(on))
-
耗散功率(Pd)
3.1W
阈值电压(Vgs(th))
-
栅极电荷量(Qg)
11.8nC@10V
输入电容(Ciss)
640pF
反向传输电容(Crss)
95pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道+P沟道
输出电容(Coss)
120pF
场效应管(MOSFET) SI4599DY-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥1.12，封装为SO-8。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。