型号/品牌/参数/关键字
SIRA00DP-T1-GE3
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV Power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：同步整流。 ORing
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品名称
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
- 商品编号
- C141540
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
- 库存
- 4246（广东仓0 | 江苏仓0）
数据手册
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商品参数
属性
参数值
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
1.35mΩ@4.5V,15A
耗散功率(Pd)
104W
阈值电压(Vgs(th))
2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)
220nC@10V
输入电容(Ciss)
11.7nF
反向传输电容(Crss)
360pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
3.32nF
场效应管(MOSFET) SIRA00DP-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥2.56，封装为PowerPAK-SO-8。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。