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MT40A256M16LY-062E:F

描述
特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV,片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O,TC 最高可达 95°C。 64ms,8192 周期刷新,最高可达 85°C。 32ms,8192 周期刷新,温度范围为 >85°C 至 95°C。 16 个内部存储体 (x4, x8):每组 4 个存储体,共 4 组
品牌名称
micron(镁光)
商品名称
4Gb:X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
商品编号
C1012896
商品封装
FBGA-96(7.5x13.5)
包装方式
托盘
商品毛重
1.78克(g)
库存
0(广东仓0 | 江苏仓0)
MT40A256M16LY-062E:F实物图

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商品参数

属性
参数值
存储器构架(格式)
SDRAM DDR4
存储容量
4Gbit
工作电压
1.14V~1.26V;2.375V~2.75V
工作电流
54mA
刷新电流
8.6mA
工作温度
0℃~+95℃

DDR SDRAM MT40A256M16LY-062E:F由micron(镁光)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格¥50.61,封装为FBGA-96(7.5x13.5)。专业规格书、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。