产品特点 FEATURES

FORESEE FD4AS3200CQGZE 是一款高性能16GB DDR4 3200MHz SO-DIMM内存条，专为现代移动计算设备和微型服务器设计。该内存采用先进的DDR4 SDRAM技术，工作电压为1.2V ± 60mV，具备低功耗、高速运行的特性。其核心参数包括：CAS延迟（CL）为22，tRCD和tRP均为13.75ns，tRAS为32ns，tRC为45.75ns，支持高效的数据读写操作。内存模块内部包含16个逻辑Bank，分为4组每组4个Bank，配合8位预取架构，显著提升数据吞吐能力。

该产品支持On-Die Termination（ODT）功能，通过ODT引脚实现对DQ、DQS及DM信号的终端阻抗控制，有效减少信号反射，提高系统稳定性。同时支持Data Bus Inversion（DBI）技术，优化数据传输效率并降低功耗。此外，内置CRC（循环冗余校验）机制，确保读写数据的安全性与完整性。

内存采用x8封装结构，配备78球FBGA封装的DRAM芯片，提供稳定的电气连接。支持PPR（Partial Power Down）和sPPR（Self-Refresh Partial Power Down）模式，在待机或低负载时自动进入节能状态，延长设备续航时间。所有组件均符合RoHS标准，无铅环保设计，适用于高可靠性工业环境。

模块采用单Rank设计，简化主板布线复杂度，提升兼容性。支持I²C接口SPD/TS功能，便于系统自动识别内存配置信息。具备外部VPP供电，用于激活DRAM内部电路，增强性能表现。温度范围为0°C至85°C，满足大多数商用及工业级应用需求。

使用场景 APPLICATIONS

本款内存条适用于多种高性能计算场景，特别适合需要高带宽和低延迟的移动计算平台。典型应用场景包括：

1 笔记本电脑与轻薄本：作为主内存升级方案，显著提升多任务处理速度和应用程序响应能力。

2 微型服务器与边缘计算设备：在空间受限但要求高稳定性的环境中，提供可靠的内存支持。

3 工业计算机与嵌入式系统：在温控良好的环境下运行，适用于自动化控制系统、智能监控设备等。

4 高性能工作站：搭配高端处理器，满足图形渲染、视频编辑、科学计算等专业应用需求。

由于其单Rank设计和SO-DIMM规格，非常适合安装于笔记本、小型台式机、迷你PC以及部分工业级主板中。其3200MHz频率可充分发挥现代CPU的内存控制器性能，尤其适合搭载Intel第10代及以上或AMD Ryzen系列处理器的系统。

注意事项 PRECAUTIONS

1 安装前请确认主板支持DDR4 3200MHz频率，并检查插槽是否兼容SO-DIMM规格。

2 内存工作温度范围为0°C至85°C，避免在高温或低温环境下长时间运行，防止因过热导致性能下降或损坏。

3 请勿超过绝对最大额定值：VDD/VDDQ不得超过1.5V，VPP不得超过3.0V，否则可能造成永久性损坏。

4 VDD与VDDQ电压差需保持在±300mV以内，且VDDQ不得高于VDD；VREFCA应小于等于0.6×VDDQ，当VDD/VDDQ低于500mV时，VREFCA不应超过300mV。

5 VPP必须始终不低于VDD/VDDQ，以保证DRAM正常激活。

6 在进行系统调试或故障排查时，建议先检查SPD数据和EEPROM内容，再逐一排查时钟负载、电阻匹配等关键元件。

7 不推荐用于生命支持系统、医疗设备、安全相关设备用途，因其未针对此类高风险应用进行认证。

8 操作过程中请佩戴防静电手环，避免静电击穿敏感元器件。

9 若出现启动失败问题，请重点检查R77、RN2等时钟负载元件及U3 SPD芯片是否正常。

10 PCB板尺寸为69.6×30mm，厚度1.2mm，共260个引脚，需确保主板插槽与之完全匹配。

FD4AS3200CQGZE-PDF数据手册-参考资料