产品特点 FEATURES

FORESEE FD4AS3200C4GZH是一款专为高性能计算和移动设备设计的DDR4 SO-DIMM内存条，容量为4GB，工作频率高达3200MHz。该产品采用先进的8-bit预取架构，支持On-Die Termination（ODT）技术，有效降低信号反射和干扰，提升数据传输稳定性。其核心电压为1.2V，符合JEDEC标准，具备低功耗特性，适用于对能效要求较高的应用场景。内存模块采用飞线拓扑结构，确保高速信号完整性，并配备金边接触端子，增强插拔耐久性和电气连接可靠性。

本产品支持多种高级功能，包括数据总线反转（DBI）、CRC校验机制以保障读写数据安全，以及内部参考电压VREFCA用于优化输入信号电平匹配。同时支持PPR和sPPR模式，满足不同系统对电源管理的需求。所有组件均通过RoHS认证，无铅、无卤素，环保合规，适合全球市场应用。

在电气参数方面，该内存条具有严格的时序控制能力，CAS延迟（CL）为22，tRCD、tRP均为22ns，tRAS为32ns，tRC为45.75ns，能够提供稳定高效的内存访问性能。此外，其工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数商用及工业级环境。模块尺寸为69.6mm × 30mm，厚度1.2mm，兼容主流笔记本电脑、小型服务器及嵌入式系统。

使用场景 APPLICATIONS

FD4AS3200C4GZH内存条广泛适用于需要高带宽、低延迟和稳定运行的计算平台。主要推荐应用于以下场景：

1 笔记本电脑与轻薄本：作为主内存升级方案，显著提升多任务处理速度、图形渲染能力和系统响应效率。

2 微型服务器与边缘计算设备：在空间受限但性能要求高的环境中，提供可靠的内存支持，适用于物联网网关、AI推理终端等。

3 工业自动化控制系统：在稳定的工业环境下运行，支持长时间连续工作，配合工业主板实现高效数据采集与处理。

4 嵌入式系统开发板：适用于基于x86架构的开发平台，如Intel NUC、迷你PC等，满足开发者对内存扩展和性能调优的需求。

5 虚拟化与云计算节点：在小型虚拟机或容器部署中，提供快速内存访问能力，提高资源利用率。

该内存条特别适合追求高性价比且对稳定性有较高要求的用户群体，尤其适合替换老旧DDR3或低频DDR4内存，实现系统整体性能跃升。

注意事项 PRECAUTIONS

在安装和使用FORESEE FD4AS3200C4GZH内存条时，请注意以下事项以确保安全与理想性能表现：

1 安装前请确认主板支持DDR4 SO-DIMM接口，并检查最大支持容量与频率是否兼容，避免因不兼容导致无法识别或系统不稳定。

2 插拔内存条时务必断电操作，防止静电损坏芯片。建议佩戴防静电手环，保持操作环境干燥清洁。

3 内存条应垂直插入插槽，听到“咔嗒”声表示已牢固锁定。若插入困难，请勿强行按压，需检查方向是否正确（缺口位置对齐）。

4 本产品不适用于生命支持系统、医疗设备、安全关键系统用途，因其未经过相关安全认证测试。

5 长期高温运行可能影响寿命，建议保持良好通风散热，避免在封闭狭小空间内持续满载运行。

6 若系统出现启动失败或蓝屏等问题，可尝试清除CMOS设置、重新插拔内存条或更换插槽进行排查。

7 请勿擅自拆解或修改内存模块，以免破坏内部电路结构，造成不可逆损害。

8 存储条件应在-55°C至+100°C之间，避免阳光直射和潮湿环境，长期存放建议置于防静电袋中。

9 VPP供电电压必须不低于VDD/VDDQ，且不得超过3.0V，否则可能导致DRAM损坏。

10 在使用过程中，若发现ALERT_n信号异常拉低，可能是CRC或地址/命令奇偶校验错误，建议检查系统配置与SPD信息是否正常。

FD4AS3200C4GZH-PDF数据手册-参考资料