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MCQ4406A-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
DFN 3*3A-8L塑封封装的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤 “绿色” 器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀 “P” 表示符合RoHS标准,详见订购信息)
应用领域
- 适用于低压应用，如汽车电路、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。