商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰(EMI)问题,便于设计实现。
商品特性
- N沟道、10V逻辑电平控制
- 增强型模式
- 在VGS = 10 V时具有低导通电阻RDS(on)
- 快速开关
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-不间断电源(UPS)/太阳能
- VS7N65AF
- VSD090N10MS
- VSF600N70HS
- VSP020P06MS
- BSMD0603-035-6V
- BSMD0603-035-12V
- BSMD0603-035-16V
- BSMD0805-035-24V
- BSMD0805-050-24V
- BSMD0805-100-12V
- BSMD0805-110-12V
- BSMD1206-012-60V
- BSMD1206-035-6V
- BSMD1206-035-16V
- BSMD1206-035-24V
- BSMD1206-035-30V
- BSMD1206-100-24V
- BSMD1206-150-13.2V
- BSMD1812-030-30V
- BSMD1812-350-6V
- BSMD2018-030-60V


