温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
商品特性
- 典型条件下，当栅源电压VGS为 -4.5 V，漏极电流ID为 -4 A时，导通电阻RDS(on)为52.5 mΩ
- 典型条件下，当栅源电压VGS为 -2.5 V，漏极电流ID为 -3.2 A时，导通电阻RDS(on)为75.3 mΩ
- 快速开关速度
- 低栅极电荷（典型值为6.9 nC）
- 高性能沟槽技术实现极低的导通电阻RDS(on)
- SUPERSOT - 6封装：占用空间小（比标准SO - 8小72%）；厚度薄（1 mm厚）
- 通过AEC - Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理
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