温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
商品概述
CS64N12是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。其坚固的EAS能力和极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）适用于PWM、负载开关，尤其适用于电动自行车控制器应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 75 V；栅源电压（VGS） = 10 V时，漏极电流（ID） = 120 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6.8 mΩ
- 专为电动自行车控制器应用设计
- 极低的导通电阻
- 高UIS且UIS 100%测试
应用领域
- 64V电动自行车控制器应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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